設計單晶CVD鑽石板設計

單晶	不鑲嵌 - 單一均勻表面
氮氣協調<1 PPM標準	硼濃度<1016 cm-3
頂面：拋光Ra <5nm	底面：生長
側面：激光切割	位錯密度：~5×10 ^ 7 1 /平方公分
應力水平：表面均勻，不是零，但沒有應力峰值。
定位：是的; 4p方向（100）。側面為4p（100）或2p（110）。